„Samsung“ pranešė, kad baigė testuoti 40 nanometrų DRAM operatyviosios atminties mikroschemą
Technologijos
Pirmadienis, 16 kovas 2009 21:04

Pietų Korėjos kompanija „Samsung“ pranešė, kad pirmoji pasaulyje baigė testuoti 40 nanometrų DRAM operatyviosios atminties mikroschemą.
Kūrėjai pažymi, kad naujosios mikroschemos naudoja 30% mažiau energijos, nei 50 nanometrų. Tai leis padidinti autonominį nešiojamųjų kompiuterių veikimo laiką, be to, apie 60% padidės našumas.
Kompanija ketina pradėti naudoti naują technologiją šių metų pabaigoje – gaminant 2 Gb DDR3 modulius. O 2010 metais rinkoje pasirodys pagal naują technologiją pagamintos DDR2 mikroschemos.
Manoma, kad 40 nanometrų mikroschemų paplitimas taps svarbiu žingsniu kuriant naujos kartos DDR4 operatyviąją atmintį.

Parengė: Redakcija.

Šaltinis: Samsung.ru

 

 


Susijusios naujienos:


Reklaminis skydelis

Mūsų draugai

It naujienos

Deviceinformed